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華工引路人 · 發表于 2021-10-26 09:14

816材料科學基礎
材料引言

1、玻璃

玻璃是由熔體過冷所制得的非晶態材料。

2、水泥

水泥是指加入適量水后可成塑性漿體，既能在空氣中硬化又能在水中硬化，并能夠將砂，石等材料牢固地膠結在一起的細粉狀水硬性材料。

3、耐火材料

耐火材料是指耐火度不低于1580攝氏度的無機非金屬材料。硅質耐火材料，鎂質耐火材料，熔鑄耐火材料，輕質耐火材料，不定形耐火材料。

4、高聚物

高聚物是由一種或幾種簡單低分子化合物經聚合而組成的分子量很大的化合物。

5、膠粘劑

膠粘劑是指在常溫下處于粘流態,當受到外力作用時，會產生永久變形,外力撤去后又不能恢復原狀的高聚物。

華工引路人 · 發表于 2021-10-26 09:15

816材料科學基礎
材料引言

6、合金

合金是由兩種或兩種以上的金屬元素,或金屬元素與非金屬元素形成的具有金屬特性的新物質。

7、固溶體

當合金的晶體結構保持溶質組元的晶體結構時，這種合金成為一次固溶體或端際固溶體，簡稱固溶體。

8、電子化合物

電子化合物是指具有一定（或近似一定)的電子濃度值,且結構相同或密切相關的相。

9、間隙化合物

間隙化合物（或間隙相）是由原子半徑較大的過渡金屬元素（Fe，Cr,Mn,Mo,W，V等）和原子半徑較小的非（準）金屬元素（H,B,C，N，Si,等）形成的金屬間化合物。

10、傳統無機非金屬材料

主要是指由SiO2及其硅酸鹽化合物為主要成分制成的材料，包括陶瓷,玻璃，水泥和耐火材料等。

11、新型無機非金屬材料

是用氧化物，氮化物，碳化物，硼化物,硫化物，硅化物以及各種無機非金屬化合物經特殊的先進工藝制成的材料。

華工引路人 · 發表于 2021-10-26 09:18

816材料科學基礎
晶體結構

1、晶體

晶體是離子，原子或分子按一定的空間結構排列所組成的固體，其質點在空間的分布具有周期性和對稱性，因而，晶體具有規則的外形。

2、晶胞

晶胞是從晶體結構中取出來的反應晶體周期性和對稱性的重復單元。

3、晶體結構

晶體結構是指晶體中原子或分子的排列情況,由空間點陣+結構基元而構成，晶體結構的形式是無限多的。

4、空間點陣

空間點陣是把晶體結構中原子或分子等結構基元抽象為周圍環境相同的陣點之后，描述晶體結構的周期性和對稱性的圖像。

5、晶面

可將晶體點陣在任何方向上分解為相互平行的節點平面，這樣的結點平面成為晶面。

華工引路人 · 發表于 2021-10-27 09:15

816材料科學基礎

晶體結構

6、晶面指數

結晶學中經常用(h k l)來表示一組平行晶面，成為晶面指數。

7、晶面族

在對稱性高的晶體(如立方晶系）中，往往有并不平行的兩組以上的晶面，它們的原子排列狀況是相同的,這些晶面構成一個晶面族。

8、晶向族

晶體中原子排列周期相同的所有晶向為一個晶向族，用｛u v w｝表示。

9、晶帶或晶帶面

在結晶學中，把同時平行某一晶向［u v w]的所有晶面成為一個晶帶（Zone）或晶帶面［Plane of a Zone］,該晶向［u v w］成為這個晶帶的晶帶軸（Zone Axis），一個晶帶中任一晶面（h k l)與其晶帶軸［u v w］之間的關系滿足晶帶軸定理：hu+kv+lw=0

10、離子鍵

離子鍵是正,負離子依靠靜電庫侖力而產生的鍵合。

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華工引路人 · 發表于 2021-10-27 09:17

816材料科學基礎晶體結構

11、共價鍵

共價鍵是原子之間通過共用電子對或通過電子云重疊而產生的鍵合。

12、金屬鍵

金屬鍵是失去最外層電子（價電子）的原子實和自由電子組成的電子云之間的靜電庫侖力而產生的鍵合。

13、范德華鍵(分子鍵）

范德華鍵（分子鍵）是通過“分子力"而產生的鍵合。

14、氫鍵

氫鍵是指氫原子同時與兩個電負性很大而原子半徑較小的原子（O，F，N等）相結合所形成的鍵。

15、晶體的結合能

晶體的結合能Eb定義為:組成晶體的N個原子處于“自由"狀態時的總能量EN與晶體處于穩定狀態時的總能量E0的差值，即Eb=EN—E0

華工引路人 · 發表于 2021-10-27 09:19

816材料科學基礎晶體結構

11、共價鍵

共價鍵是原子之間通過共用電子對或通過電子云重疊而產生的鍵合。

12、金屬鍵

金屬鍵是失去最外層電子（價電子）的原子實和自由電子組成的電子云之間的靜電庫侖力而產生的鍵合。

13、范德華鍵(分子鍵）

范德華鍵（分子鍵）是通過“分子力"而產生的鍵合。

14、氫鍵

氫鍵是指氫原子同時與兩個電負性很大而原子半徑較小的原子（O，F，N等）相結合所形成的鍵。

15、晶體的結合能

晶體的結合能Eb定義為:組成晶體的N個原子處于“自由"狀態時的總能量EN與晶體處于穩定狀態時的總能量E0的差值，即Eb=EN—E0

華工引路人 · 發表于 2021-10-27 09:21

816材料科學基礎

晶體結構

15、晶格能

對于離子晶體而言，其晶格能EL定義為：1mol離子晶體中的正負離子,由相互遠離的氣態結合成離子晶體時所釋放出的能量。

16、空間利用率(原子堆積系數）

晶胞中原子體積與晶胞體積的比值。

17、孤立態原子半徑

從原子核中心到核外電子的幾率分布趨向于零的位置間的距離。這個半徑亦稱為范德華半徑。

18、金屬原子半徑

相鄰兩原子面間距離的一半。如果是離子晶體，則定義正，負離子半徑之和等于相鄰兩原子面間的距離。

19、配位數

一個原子（或離子）周圍同種原子(或異號離子）的數目成為原子或離子的配位數，用CN來表示。

20、離子極化

在離子緊密堆積時,帶電荷的離子所產生的電場,必然要對另一個離子的電子云產生吸引或排斥作用，使之發生變形，這種現象稱為極化。

華工引路人 · 發表于 2021-10-28 09:13

816材料科學基礎
晶體結構缺陷

1、晶體結構缺陷

通常把晶體點陣結構中周期性勢場的畸變成為晶體的結構缺陷。

2、點缺陷

點缺陷亦稱為零維缺陷，缺陷尺寸處于原子大小的數量級上，即三維方向上缺陷的尺寸都很小.點缺陷包括空位、間隙質點、雜志質心和色心等。

3、線缺陷

線缺陷也稱為一維缺陷，是指在一維方向上偏離理想晶體中的周期性、規則性排列所產生的缺陷,即缺陷尺寸在一維方向較長，另外二維方向上很短.如各種位錯。

4、面缺陷

面缺陷又稱為二維缺陷,是指在二維方向上偏離理想晶體中的周期性、規則性排列而產生的缺陷，即缺陷尺寸在二維方向上延伸,在第三位方向上很小，如晶界、表面、堆積層錯、鑲嵌結構等。

5、體缺陷

體缺陷亦稱為三維缺陷，是指在局部的三維空間偏離理想晶體的周期性、規則性排列而產生的缺陷。如第二相粒子團、空位團等。

華工引路人 · 發表于 2021-10-28 09:15

816材料科學基礎

晶體結構缺陷

6、熱缺陷

熱缺陷稱為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產生的空位和（或）間隙質點(原子或離子)。熱缺陷包括弗倫克爾缺陷和肖特基缺陷.弗倫克爾缺陷是質點離開正常格點后進入到晶格間隙位置，其特征是空位和間隙質點成對出現。肖特基缺陷是質點由表面位置遷移到新表面位置,在晶體表面形成新的一層，同時在晶體內部留下空位,其特征是正負離子空位成比例出現。

7、滑移

在外力作用下,晶體的一部分相對于另一部分，沿著一定晶面的一定晶向發生平移，使晶面上的原子從一個平衡位置平移到另一個平衡位置，此過程稱為滑移。

8、滑移系統

一個滑移面和該面上的一個確定的滑移方向,構成一個一個滑移系統，以（h k l）[u v w］來表示。

9、孿生

晶體塑性形變的另一種機制是孿生，即在外力作用下,晶體的一部分相對于另一部分，沿著一定的晶面和晶向發生切變,切變之后，兩部分晶體的位向以切變面為鏡面成對稱關系。發生切變的晶面和方向分別叫孿晶面和孿生方向。變形后發生切變的部分和與其呈晶面對稱的部分構成孿晶，其界面是共格晶面。

10、位錯滑移

位錯滑移是指在外力作用下，位錯線在其滑移面（即位錯線和伯氏矢量b構成的晶面)上的運動，結果導致晶體永久變形。

華工引路人 · 發表于 2021-10-28 09:24

816材料科學基礎晶體結構缺陷

11、位錯攀移

位錯攀移是指在熱缺陷或外力作用下，位錯線在垂直其滑移面方向上的運動，結果導致晶體中空位或間隙質點的增殖或減少。

12、位錯的線張力

線張力是一種組態力，定義為使位錯線增加單位長度所需要的能量,所以線張力在數值上等于單位長度位錯線的應變能，即T=W=αGb2。

13、固溶體

將外來組元引入晶體結構，占據基質晶體質點位置或間隙位置的一部分,仍保持一個晶相，這種晶體成為固溶體。

14、置換式固溶體

亦稱替代固溶體，其溶質原子位于點陣結點上，替代（置換）了部分溶劑原子。

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